SK Hynix представила готовые SSD на 128-слойных чипах 3D NAND


Ещё летом SK Hynix сообщила о скором начале производства 128 -слойной памяти NAND Flash. Теперь же появились инженерные образцы микросхем памяти ёмкостью 1 Тбит типа UFS 3.1. Эта память ляжет в основу коммерческих и корпоративных SSD -накопителей. Память использование в смартфонах найдёт, SSD форм-фактора M.2 2280 ёмкостью до 2 ТБ и т.д. В продажу готовые изделия поступят в начале 2020 года.

В новейших накопителях фирменный контроллер используется, а в UFS 3.1 задействована технология Write Booster, скорость линейной записи удваивающая. Это позволяет скопировать фильм весом в 15 ГБ за двадцать секунд. В цифрах же скорость последовательной передачи данных заявлена на отметке 1200 МБ/сек. Отмечается отдельно, что новинкам хватит напряжения в 1,2 В, т.е общая мощность составляет всего 3 Вт. А SSD корпоративного уровня в форм-факторе E.L может похвастаться объёмом 16 ТБ.

Он держит скорость последовательного чтения на отметке 3400 МБ/сек, а скорость записи -3000 МБ/сек. Они выйдут в продажу во второй половине 2020 года. Не уточняются стоимости.

Если коротко то вот главное: скорость записи, мб, ssd форм-фактора, удваивающая скорость линейной записи, ufs